半導体装置及びその作製方法並びに重水素処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-006904
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196713
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜(あるいは酸化膜)-半導体(MISあるいはMOS)構造を有する半導体装置(電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET))に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、600°C以下の低温においてゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図り、界面準位密度の低い良好なゲート酸化膜/半導体界面が形成された半導体装置、およびそれを形成する重水素処理装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属-絶縁膜-半導体(MIS)構造を有する半導体装置。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属-絶縁膜-半導体(MIS)構造を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/322

FI (3件)：

H01L29/78 301B , H01L21/322 Z , H01L29/78 301G

Fターム (24件)：

5F140AA05 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC21 , 5F140AC39 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA04 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BA20 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG44

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-021582 出願人：富士通株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-078935 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法および半導体装置の界面安定化処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-111826 出願人：北陸先端科学技術大学院大学長, 日本酸素株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100399 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-052396 出願人：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構

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