表面処理方法、電子部品並びにコネクタピンの製造方法、および電子部品

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横沢志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072913
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277837
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】半田の濡れ性の高い半田付け領域と、半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない非半田付け領域を効率よく形成することのできる表面処理方法、電子部品並びにコネクタピンの製造方法、および電子部品を提供すること。【解決手段】コネクタピン1を製造する際、下地のニッケルめっき層11の表面に金めっき層12を形成しておき、所定領域にレーザ光を照射する。その結果、レーザ光の照射領域では、金めっき層12の一部が除去されるとともに、金とニッケルとが拡散し合い、ニッケルと金との混合層13からなる非半田付け領域3が形成される。これに対して、レーザ光の照射されなかったその他の領域では、金めっき層12がそのまま残る半田付け領域2が形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半田濡れ性が低い、あるいは半田が濡れない低濡れ性金属からなる下層側金属層の表面に、前記低濡れ性金属よりも半田濡れ性の高い高濡れ性金属からなる上層側金属層が積層された処理対象物の表面に対して、その所定領域にレーザ光を照射し、当該レーザ光の照射領域によって非半田付け領域とする一方、その他の領域に半田付け領域を形成することを特徴とする表面処理方法。

IPC (4件)：

C23C30/00 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01R43/16

FI (4件)：

C23C30/00 B , C25D5/12 , C25D7/00 G , H01R43/16

Fターム (25件)：

4K024AA03 , 4K024AA10 , 4K024AA11 , 4K024AA14 , 4K024AB02 , 4K024AB08 , 4K024BA09 , 4K024BB10 , 4K024BB13 , 4K024BC10 , 4K024CA13 , 4K024DB10 , 4K024GA16 , 4K044AA06 , 4K044AB10 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BB03 , 4K044BB10 , 4K044BC08 , 4K044BC14 , 4K044CA61 , 5E063GA07 , 5E063GA09 , 5E063XA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-102762
半田付け端子、及び半田付け端子の表面の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-348740 出願人：松下電工株式会社
特開昭62-267484

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