特許
J-GLOBAL ID:200903029500412562
複合光学素子、受光素子装置及び複合光学素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-287564
公開番号(公開出願番号):特開2003-101063
出願日: 2001年09月20日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】 構成の小型化、軽量化を阻害することなく、受光素子の位置が容易、かつ、高精度に調整できるようになされた。【解決手段】 基板1の一面に取付けられた少なくとも一つの光学素子2と、基板1の他面に取付けられた半導体レーザ3及び受光素子4と、基板1と受光素子4との間に介在された中間部材5とを備える。中間部材5は、受光素子4に入射する光束が通過するための透孔6及び導電性を有する部分を有し、この導電性を有する部分によって受光素子4の端子と基板1上の導体パターンとを接続させている。
請求項(抜粋):
基板と、上記基板の一面に取付けられた少なくとも一つの光学素子と、上記基板の他面に取付けられた発光素子及び受光素子と、上記基板と上記受光素子との間に介在された中間部材とを備え、上記中間部材をなす母材は、発光素子の発光波長において吸収を有する材料であり、上記中間部材は、上記受光素子に入射する光束が通過するための孔部及び導電性を有する部分を有し、この導電性を有する部分によって該受光素子の端子と上記基板上の導体パターンとを接続させていることを特徴とする複合光学素子。
IPC (3件):
H01L 31/12
, G11B 7/135
, G11B 7/22
FI (3件):
H01L 31/12 E
, G11B 7/135 Z
, G11B 7/22
Fターム (22件):
5D119AA01
, 5D119AA38
, 5D119CA09
, 5D119FA25
, 5D119KA28
, 5D119LB06
, 5D119MA03
, 5D119NA08
, 5D789AA01
, 5D789AA38
, 5D789CA09
, 5D789FA25
, 5D789KA28
, 5D789LB06
, 5D789MA03
, 5D789NA08
, 5F089BA04
, 5F089CA20
, 5F089EA01
, 5F089EA10
, 5F089GA01
, 5F089GA10
引用特許:
審査官引用 (6件)
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集積光学素子及び光学ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-199476
出願人:ソニー株式会社
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集積光電センサおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-343657
出願人:ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
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特開平4-102239
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光半導体実装装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-028964
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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光電変換装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-361023
出願人:株式会社東芝
-
光ピックアップ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-065786
出願人:シャープ株式会社
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