特許

J-GLOBAL ID：200903029505114535

半導体装置の検査方法および検査装置

発明者： 西村 久治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347667
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151961
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板のトレンチ分離溝の底部を深さおよび寸法を非破壊で測定することができる半導体装置の微細溝の検査方法を提供する。【解決手段】 SOI基板の表面に素子領域とほぼ同じ溝幅の寸法測定用のトレンチ分離溝6を設け、その表面の微細領域に410nmのレーザー光を照射し、照射後のレーザー反射光7をレーザー顕微鏡にて受光し、Z軸方向に高精度にスキャン可能な光学系によりトレンチ分離溝6の深さ等を検査する際に、トレンチ分離溝6の底部にn-型SOI層3が残っている場合には、レーザー反射光7の反射強度が強く、またn-型SOI層3が完全にエッチングされ、その下の埋込酸化膜2がトレンチ分離溝6の底部に露出している場合には、埋込酸化膜2からのレーザー反射光7の強度は極端に弱くなり、このことによって完全にエッチングできたことが確認できる。

請求項（抜粋）：

支持基板上の埋込絶縁膜の上に形成された半導体薄膜に溝を形成した後、その溝にレーザー光を照射して前記半導体薄膜の表面から反射する反射光の強度を測定し、これ以前の工程を繰り返して前記溝の底部からの反射強度が弱まった時点で前記溝が前記埋込絶縁膜まで達したことを判定することを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  G01B 11/22 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762

FI (5件)：

G01B 11/22 Z ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 D

Fターム (36件)：

2F065AA25 ,  2F065CC17 ,  2F065CC32 ,  2F065FF10 ,  2F065FF44 ,  2F065GG04 ,  2F065GG12 ,  2F065GG22 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL00 ,  2F065LL05 ,  2F065MM07 ,  2F065PP02 ,  2F065PP24 ,  2F065TT06 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CA48 ,  4M106DB02 ,  4M106DB08 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EB04 ,  5F032AA09 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032DA22 ,  5F032DA71

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エッチング終点検出装置および検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-060725   出願人：日本電気株式会社
• 半導体膜の検査方法、薄膜トランジスタの製造方法、および半導体膜の検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-285589   出願人：セイコーエプソン株式会社