特許
J-GLOBAL ID：200903029520651792

双方向型静電気放電保護素子

発明者：
平井 政和

平井 政和 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-211837
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074012
出願日： 2005年07月21日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】正極性と負極性のESDに対するトリガー電圧を任意に設定できるようにする。【解決手段】コレクタ電極が共通に接続され、エミッタ電極が半導体集積回路の端子1q,1rに接続されるNPNトランジスタ1,3と、ベース電極がNPNトランジスタ1,3のコレクタ電極接続端に接続され、双方向のエミッタ電極がNPNトランジスタ1,3の対応するベース電極に接続されるとともに、抵抗素子R1,R2を介してNPNトランジスタ1,3の対応するエミッタ電極に接続されるPNPトランジスタ2とを備える形で半導体集積回路の製造プロセスで出現する横型SCRを用いた双方向型静電気放電保護素子であって、NPNトランジスタ1,3には、それぞれ並列にNMOSトランジスタ4,5が一体化して形成され、かつ当該NMOSトランジスタ4,5のゲート電極はNPNトランジスタ1,3の対応するエミッタ電極に接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
コレクタ電極が共通に接続され、エミッタ電極が半導体集積回路の第1および第2の端子に接続される第1および第2のバイポーラトランジスタと、ベース電極が前記第1および第2のバイポーラトランジスタのコレクタ電極接続端に接続され、双方向のエミッタ電極が前記第1および第2のバイポーラトランジスタの対応するベース電極に接続されるとともに、抵抗素子を介して前記第1および第2のバイポーラトランジスタの対応するエミッタ電極に接続される第3のバイポーラトランジスタとを備える形で半導体集積回路の製造プロセスにて出現する双方向性横型SCRを用いた双方向型静電気放電保護素子であって、 前記第1および第2のバイポーラトランジスタには、それぞれ並列に第1および第2のNMOSトランジスタが一体化して形成され、かつ当該第1および第2のNMOSトランジスタのゲート電極は前記第1および第2のバイポーラトランジスタの対応するエミッタ電極に接続されている、 ことを特徴とする双方向型静電気放電保護素子。
IPC (6件)：
H01L 27/06 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (5件)：
H01L27/06 311C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/06 321A ,  H01L27/04 H
Fターム (32件)：
5F038AV06 ,  5F038BH02 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA06 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC00 ,  5F048AC01 ,  5F048AC07 ,  5F048AC08 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F048BH01 ,  5F048CA03 ,  5F048CA04 ,  5F048CA05 ,  5F048CA06 ,  5F048CA07 ,  5F048CC01 ,  5F048CC10 ,  5F048CC18
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027927   出願人：松下電子工業株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-169738   出願人：日本電装株式会社
  • 半導体集積回路の静電保護回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-063771   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
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