特許

J-GLOBAL ID：200903029522569384

垂直磁気記録媒体及びその製造方法

発明者： 酒井 泰志 ,  渡辺 貞幸 ,  榎本 一雄 ,  三谷 覚
出願人/特許権者： 富士電機株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-157663
公開番号（公開出願番号）：特開2002-352417
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 磁区制御層として反強磁性層を使用することにより軟磁性裏打ち層の磁壁の制御を有効に行なうことにより低ノイズ化された垂直磁気記録媒体、および該垂直磁気記録媒体の大量生産に適した製造方法の提供。【解決手段】 非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層としてCo系アモルファス合金からなる軟磁性層を用い、前記磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、更に該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いる垂直磁気記録媒体。

請求項（抜粋）：

非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層としてCo系アモルファス合金からなる軟磁性層を用い、前記磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、更に該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体。

IPC (8件)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/852 ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26

FI (8件)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/852 Z ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26

Fターム (18件)：

5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D112AA03 ,  5D112AA04 ,  5D112AA24 ,  5D112BD03 ,  5D112BD05 ,  5D112FA04 ,  5D112FB29 ,  5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049DB02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-125916   出願人：株式会社日立製作所
• スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331916   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270473   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-015374   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-125916   出願人：株式会社日立製作所
• スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331916   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270473   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-015374   出願人：富士通株式会社