特許
J-GLOBAL ID:200903029530157001

積層型ガスセンサ素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-183536
公開番号(公開出願番号):特開2002-005875
出願日: 2000年06月19日
公開日(公表日): 2002年01月09日
要約:
【要約】【課題】 ジルコニア系固体電解質板とアルミナ系絶縁板との間の接合界面において強固に接合された積層型ガスセンサ素子及びこのような素子を製造する方法を提供すること。【解決手段】 ジルコニア系固体電解質板11とアルミナ系絶縁板13を積層して接合することにより構成されている。上記ジルコニア系固体電解質板11と上記アルミナ系絶縁板と13の接合界面の少なくとも一部にはSiO2を含む結晶相を介在させる。
請求項(抜粋):
ジルコニア系固体電解質板とアルミナ系絶縁板を積層して接合することにより構成された積層型ガスセンサ素子において,上記ジルコニア系固体電解質板と上記アルミナ系絶縁板との接合界面の少なくとも一部にはSiO2を含む結晶相を介在させることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
IPC (3件):
G01N 27/409 ,  F02D 35/00 368 ,  F02D 45/00 368
FI (3件):
F02D 35/00 368 B ,  F02D 45/00 368 F ,  G01N 27/58 B
Fターム (18件):
2G004BB04 ,  2G004BC03 ,  2G004BD04 ,  2G004BE04 ,  2G004BE13 ,  2G004BE22 ,  2G004BF05 ,  2G004BF08 ,  2G004BH15 ,  2G004BJ03 ,  2G004BL08 ,  2G004BL09 ,  2G004BM07 ,  3G084DA04 ,  3G084DA13 ,  3G084EB11 ,  3G084FA26 ,  3G084FA29
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (15件)
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