半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢作和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-270451
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026612
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】半導体基板をヘッダなどにSn系Pbフリー半田を用いて半田接合する際に、充分な接合寿命を保証できる半導体装置を提供する。【解決手段】まず、半導体基板1の形成面Sに形成された図示しない自然酸化膜を除去するために、半導体基板1の形成面Sの逆スパッタリングを行う。次に、半導体基板1の形成面Sにスパッタリングによって例えば厚さ200nm〜300nm程度のTi膜2を形成する。次に、このTi膜2上にスパッタリングによって例えば厚さ500nm〜600nm程度のNi層3を形成する。さらに、Ni層3上にスパッタリングによって例えば厚さ30nm〜50nm程度の図示しないAuなどからなる保護膜を形成する。その後、窒素雰囲気の石英管熱処理炉にて熱処理を行うことによってTi層2とNi層3との界面に半田バリア層としてのTi-Ni層4を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に接着層として形成された第1の金属層と、前記第1の金属層とNiもしくはCuとの混合層からなる半田バリア層とを備える半導体電極であって、前記半導体電極をSn系Pbフリー半田により下地基板に半田接合することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/28 , H01L21/52

FI (2件)：

H01L21/28 301R , H01L21/52 A

Fターム (22件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH05 , 5F047BA19 , 5F047BC01 , 5F047BC02 , 5F047BC04 , 5F047BC07 , 5F047BC12 , 5F047CB00

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3339552号公報

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-057704 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-189553 出願人：富士通株式会社
特開平1-209730

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