特許
J-GLOBAL ID：200903029531203163

電子放出装置、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法

発明者：
室山 雅和

室山 雅和 について

, 
齋藤 一郎

齋藤 一郎 について

, 
井上 浩司

井上 浩司 について

, 
八木 貴郎

八木 貴郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373425
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197965
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】カソード電極の所望の部位に確実に炭素薄膜が形成された冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子は、支持体10上に形成されたカソード電極11、及び、カソード電極11の上方に形成され、開口部14を有するゲート電極13から成り、少なくとも、開口部14の底部に位置するカソード電極11の部分の表面に形成された炭素薄膜選択成長領域20、及び、炭素薄膜選択成長領域20上に形成された炭素薄膜23から成る電子放出部を更に備えている。
請求項（抜粋）：
(a)炭素薄膜選択成長領域が表面に形成された導電体層、及び、(b)炭素薄膜選択成長領域上に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、から構成されていることを特徴とする電子放出装置。
IPC (4件)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (4件)：
H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F
Fターム (9件)：
5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE02 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM