特許
J-GLOBAL ID：200903029532845177
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-322900
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214541
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】IGBTセルとダイオードセルが同じ半導体基板に併設されてなる半導体装置であって、IGBTセルの特性を損なうことなく、ダイオードセルのリカバリー特性を改善することができると共に、耐サージ特性の劣化のない半導体装置を提供する。【解決手段】N導電型半導体基板1の主面側に、表面から内部に向って不純物濃度が低下するP導電型層2aが形成され、P導電型層2a内に形成された主面側N導電型領域3aとP導電型層2aを貫通して、N導電型半導体基板1に達する第1トレンチT1が形成され、半導体基板1の裏面側に、裏面側P導電型領域5および裏面側N導電型領域6が形成され、P導電型層2aの内部に達する第2トレンチT2が形成され、第2トレンチT2内に第2電極層10が埋め込まれた第2電極層10がP導電型層2aに接続されてなる半導体装置100とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
IGBTセルとダイオードセルが、同じ半導体基板に併設されてなる半導体装置であって、
N導電型半導体基板の主面側の表層部に、表面から内部に向って不純物濃度が低下するP導電型層が形成され、
前記P導電型層内の表層部に、主面側N導電型領域が形成され、
前記N導電型半導体基板の裏面側の表層部に、裏面側P導電型領域と裏面側N導電型領域が形成され、
前記主面側N導電型領域とP導電型層を貫通して、前記N導電型半導体基板に達する第1トレンチが形成され、絶縁膜を介して前記第1トレンチ内に埋め込まれた第1電極層を前記IGBTセルのゲート電極とし、
前記N導電型半導体基板の主面側の表面上に形成され、前記主面側N導電型領域およびP導電型層に電気的に接続する第2電極層を、前記IGBTセルのエミッタ電極および前記ダイオードセルのアノード電極とし、
前記N導電型半導体基板の裏面側の表面上に形成され、前記裏面側P導電型領域および裏面側N導電型領域に電気的に接続する第3電極層を、前記IGBTセルのコレクタ電極および前記ダイオードセルのカソード電極とし、
前記P導電型層の内部に達する第2トレンチが形成され、前記第2トレンチ内に前記第2電極層が埋め込まれて、第2電極層がP導電型層に電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 29/78
, H01L 29/739
H01L29/78 657D
, H01L29/78 655D
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 653A
