バンプ電極形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243772
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】微細なパターンの基板、半導体素子等へ、導電性ボールを転写してバンプ形成する方法において、フラックス等の仮固定剤を用いず歩留まり良く安定して一括転写、バンプ電極形成方法を提供する。【解決手段】シリコンテンプレートの、半導体素子または回路基板の電極パターンに対応する位置に、凹部を高精度に形成し、導電性ボールを配列させて置き、位置合わせして、電極パッドと導電性ボールを接触させ、半導体素子または回路基板の面方向に微動振動を付与するので、複数のバンプを一括形成でき、また、導電性ボールは上述凹部に振り込むのみで、電極パッドのピッチが狭くとも高精度に簡単に配置できる。なお、上述凹部に貫通孔を形成し、裏面から真空吸引する場合は、一層効果的である。また、フラックス等の仮固定剤を必要とせず、バンプ形成後に洗浄工程が不要となり、コストも低くなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子または回路基板の電極パッド上に、導電性ボールを用いてバンプ電極を形成する方法において、半導体素子または回路基板の電極パターンと対応する位置に凹部が形成されたシリコンテンプレートの前記凹部に、予め導電性ボールを配列させて置き、半導体素子または回路基板の電極パッドをシリコンテンプレート上の導電性ボールと位置合わせし、電極パッドと導電性ボールとを接触させ、半導体素子または回路基板の面にほぼ水平な方向に、微動振動を付与することを特徴とする、バンプ電極形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 604 H , H01L 21/60 311 S

Fターム (2件)：

5F044KK19 , 5F044QQ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-263434
特開昭61-018139
バンプ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-197086 出願人：株式会社リコー

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