特許
J-GLOBAL ID:200903042459435433

バンプ電極形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-320224
公開番号(公開出願番号):特開2000-150556
出願日: 1998年11月11日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 バンプ電極を効率よく、かつ高精度に、そして低コストで形成する。【解決手段】 超音波エネルギを供給することにより半導体素子4上に配設された電極パッド5の上に導電性ボール3を接合してバンプ電極6を形成する方法において、まず、半導体素子4上の電極パッド5の位置に対応して、導電性ボール3が埋没することなく嵌合可能な凹部2が表面に形成されたテンプレート1を用意する。そして、テンプレート1の凹部2に導電性ボール3を嵌合させ、テンプレート1と半導体素子4とを対向させて導電性ボール3と電極パッド5とを当接させた上で、テンプレート1および半導体素子4の少なくとも一方を通じ超音波エネルギAを供給して導電性ボール3と電極パッド5との当接箇所において導電性ボール3を電極パッド5に接合する。
請求項(抜粋):
超音波エネルギを供給することにより基体上に配設された電極パッドの上に導電性ボールを接合してバンプ電極を形成する方法において、前記基体上の前記電極パッドの位置に対応して、前記導電性ボールが埋没することなく嵌合可能な凹部が表面に形成されたテンプレートを用意し、前記テンプレートの前記凹部に前記導電性ボールを嵌合させ、前記テンプレートと前記基体とを対向させて前記導電性ボールと前記電極パッドとを当接させ、前記テンプレートおよび前記基体の少なくとも一方を通じ超音波エネルギを供給して前記導電性ボールと前記電極パッドとの当接箇所において前記導電性ボールを前記電極パッドに接合することを特徴とするバンプ電極形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/607
FI (4件):
H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/607 A ,  H01L 21/607 C ,  H01L 21/92 604 Z
引用特許:
審査官引用 (8件)
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