特許
J-GLOBAL ID：200903029556537040
強磁性トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316443
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057450
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 生産性および品質の安定性に優れ、TMR効果が格段と優れる強磁性トンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 トンネルバリア層30と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された第1の強磁性層20と第2の強磁性層40が積層された多層膜構造3を有する強磁性トンネル磁気抵抗効果素子1であって、前記トンネルバリア層は、非磁性金属層をラジカル酸化法にて酸化処理された酸化膜として構成する。
請求項（抜粋）：
トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された第1の強磁性層と第2の強磁性層が積層された多層膜構造を有する強磁性トンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネルバリア層は、非磁性金属層をラジカル酸化法にて酸化処理した非磁性酸化膜であることを特徴とする強磁性トンネル磁気抵抗効果素子。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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