特許
J-GLOBAL ID：200903029571795640
導体パターン付きセラミック基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362692
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177196
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 導体パターンが、セラミック基板に反りや変形が生じさせる心配がなく接着強度も良好であり、また、内部電極との接続性も間題がなく、さらに半田塗れ性及び耐半田食われ性に優れた導体パターン付きセラミック基板を提供する。【解決手段】 導体パターン付きセラミック基板1は、ガラス相と、そのガラス相よりも軟化点の高い耐熱セラミック相とが混在したガラスセラミック材料を主体に構成された基板本体2の表面に導体パターン5が形成されるとともに、導体パターン5の不可避不純物を除く金属成分が、0.5〜10重量のPtと、残部をなすAgとによって構成され、導体パターン5を構成する金属粒子の平均粒径が1〜15μmであり、かつ導体パターン5の平均厚さが20μm以上とされる。
請求項（抜粋）：
ガラス相と、そのガラス相よりも軟化点の高いセラミック相とが混在したガラスセラミック材料を主体に構成された基板本体の表面に導体パターンが形成されるとともに、前記導体パターンの不可避不純物を除く金属成分が、0.5〜10重量%のPtと、残部をなすAgとによって構成され、前記導体パターンを構成する金属粒子の平均粒径が1〜15μmであり、かつ前記導体パターンの平均厚さが20μm以上とされたことを特徴とする導体パターン付きセラミック基板。
IPC (3件)：
H05K 1/09
, H05K 3/12 610
, H01B 1/22
H05K 1/09 A
, H05K 3/12 610 M
, H01B 1/22 A
