特許
J-GLOBAL ID:200903029601499995
有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
目次 誠
, 宮▲崎▼主税
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-224906
公開番号(公開出願番号):特開2006-049394
出願日: 2004年07月30日
公開日(公表日): 2006年02月16日
要約:
【課題】 複数の発光ユニットを備え、低電圧駆動かつ高発光効率の有機EL素子を得る。【解決手段】 陰極と陽極間の中間ユニット30と、陰極と中間ユニット間の第1の発光ユニット41と、陽極と中間ユニット間の第2の発光ユニット42と、ホール注入ユニットとを備え、中間ユニットに、陰極側に電子引き抜き層が設けられ、電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(B)│が、│HOMO(B)│-│LUMO(A)│≦1.5eVであり、中間ユニットは、ホールを第1の発光ユニットに供給する有機EL素子であって、ホール注入ユニットが、アリールアミン系ホール輸送性材料からなるホール注入層と、ホール注入促進層とから構成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
陰極と、陽極と、前記陰極及び前記陽極の間に配置される中間ユニットと、前記陰極及び前記中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、前記陽極及び前記中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットと、前記陽極及び前記第2の発光ユニットの間に配置されるホール注入ユニットとを備え、
前記中間ユニットに、陰極側に隣接する隣接層から電子を引き抜くための電子引き抜き層が設けられており、前記電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、前記隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(B)│が、│HOMO(B)│-│LUMO(A)│≦1.5eVの関係にあり、前記中間ユニットは、前記電子引き抜き層による前記隣接層からの電子の引き抜きにより発生したホールを前記第1の発光ユニットに供給するとともに、引き抜いた電子を前記第2の発光ユニットに供給する有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記ホール注入ユニットが、アリールアミン系ホール輸送性材料からなるホール注入層と、該ホール注入層及び前記陽極の間に配置されるホール注入促進層とから構成されており、前記ホール注入促進層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(X)│が、前記陽極の仕事関数の絶対値│WF(Y)│及び前記ホール注入層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(Z)│と、│WF(Y)│<│HOMO(X)│<│HOMO(Z)│の関係を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
IPC (2件):
FI (5件):
H05B33/22 B
, H05B33/22 D
, H05B33/12 C
, H05B33/12 E
, H05B33/14 B
Fターム (10件):
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007AB06
, 3K007BA06
, 3K007BB01
, 3K007BB06
, 3K007CB01
, 3K007CC01
, 3K007DA06
, 3K007DB03
引用特許: