特許
J-GLOBAL ID：200903029606175144

炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置

発明者：
丸山 隆之

丸山 隆之 について

, 
千葉 利実

千葉 利実 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255951
公開番号（公開出願番号）：特開2006-069851
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 マイクロパイプがなく、転位が少ない炭化ケイ素単結晶を提供する。【解決手段】 反応容器内の第一端部に昇華用原料40を収容し、反応容器内の昇華用原料40に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶50を配置し、昇華させた昇華用原料40を種結晶50上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、昇華用原料40よりも熱伝導性が高い均熱部材80を、反応容器の径方向の中心部を少なくとも含んで昇華用原料40の表面近傍に配置し、対向する種結晶50表面の均熱化を促進させる炭化ケイ素単結晶の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応容器内の第一端部に昇華用原料を収容し、前記反応容器内の昇華用原料に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、昇華させた昇華用原料を前記種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、 前記昇華用原料よりも熱伝導性が高い均熱部材を、前記反応容器の径方向の中心部を少なくとも含んで前記昇華用原料の表面近傍に配置し、対向する種結晶表面の均熱化を促進させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
C30B 29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EC02 ,  4G077EG15 ,  4G077EG18 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077SA01 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開公報:WO 02/053813 A1
審査官引用 (3件)

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