特許

J-GLOBAL ID：200903098730804585

炭化ケイ素単結晶及びその製造方法

発明者： 丸山 隆之 ,  遠藤 茂樹
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 廣田 浩一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-284942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095794
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を効率よく製造し得る方法の提供。【解決手段】 昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、成長させた炭化ケイ素単結晶が、その底面の長径をD(cm)とし、その底面と頂点とを結ぶ垂線の長さをH(cm)としたとき、(H/D)≧0.1、を満たすことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法である。炭化ケイ素単結晶の凸形状部における曲率半径が、9cm以下である態様等が好ましい。

請求項（抜粋）：

昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、成長させた炭化ケイ素単結晶が、その底面の長径をD(cm)とし、その底面と頂点とを結ぶ垂線の長さをH(cm)としたとき、(H/D)≧0.1、を満たすことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶成長方法および単結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236027   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 誘導加熱型熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-286769   出願人：株式会社村田製作所
• 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241856   出願人：株式会社ブリヂストン
• 炭化ケイ素単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-111901   出願人：株式会社ブリヂストン