特許
J-GLOBAL ID：200903007514350167

炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置

発明者：
小柳 直樹

小柳 直樹 について

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山本 勇

山本 勇 について

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小巻 邦雄

小巻 邦雄 について

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西野 茂弘

西野 茂弘 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118817
公開番号（公開出願番号）：特開平10-291899
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥等がない高品質の炭化ケイ素単結晶を容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】 炭化ケイ素原料を昇華させ、種結晶上に導いて単結晶を析出させる際、昇華ガスを賦活化した黒鉛体に接触させた後か、又は原料より高温に保持されている黒鉛体に接触させた後に、昇華ガスを種結晶に導くことからなる。製造装置は、黒鉛ルツボ内に原料を収納する黒鉛カプセルが装填され、カプセルの蓋板又は底板を多孔質黒鉛体とし、蓋板の上方又は底板の下方に種結晶が配置され、そして黒鉛ルツボは減圧可能な反応管内に収められ、該反応管に加熱装置を備えた構成からなる。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる際、炭化ケイ素原料からの昇華ガスを賦活化した多孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶上に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203
FI (3件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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