特許
J-GLOBAL ID:200903029610313802
透明導電性基板およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深井 敏和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-278723
公開番号(公開出願番号):特開2009-135096
出願日: 2008年10月29日
公開日(公表日): 2009年06月18日
要約:
【課題】 良好な導電性を発現しうる透明導電性基板を簡便な塗布法にて製造する、透明導電性基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 (A)チタン化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物と(B)ニオブ化合物またはタンタル化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物とを含む前駆体液を、透明基材上に塗布し、焼成した後、還元雰囲気下にて加熱によるアニール処理を施して、ニオブまたはタンタルがドープされた酸化チタンからなる透明導電性膜を透明基材上に形成することにより、比抵抗が9×10-3Ω・cm以下の透明導電性基板を得る。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)チタン化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物と(B)ニオブ化合物またはタンタル化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物とを含む前駆体液を、透明基材上に塗布し、焼成した後、還元雰囲気下にて加熱によるアニール処理を施して、ニオブまたはタンタルがドープされた酸化チタンからなる透明導電性膜を透明基材上に形成する、ことを特徴とする比抵抗が9×10-3Ω・cm以下の透明導電性基板の製造方法。
IPC (4件):
H01B 13/00
, H01B 5/14
, B32B 9/00
, B32B 7/02
FI (4件):
H01B13/00 503B
, H01B5/14 A
, B32B9/00 A
, B32B7/02 104
Fターム (20件):
4F100AA17B
, 4F100AA21B
, 4F100AG00
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100EH46B
, 4F100EJ42
, 4F100GB41
, 4F100JA11B
, 4F100JG01
, 4F100JG01B
, 4F100JN01
, 4F100JN01A
, 5G307FB01
, 5G307FC09
, 5G307FC10
, 5G323BA05
, 5G323BB02
, 5G323BB06
, 5G323BC01
引用特許:
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