特許
J-GLOBAL ID：200903029629906685

絶縁膜形成用SOG及びその製造方法、及び絶縁膜及びその形成方法

発明者：
中嶋 英晴

中嶋 英晴 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317686
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153793
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 特にダミーパターンの形成を要さずに良好な平坦化を達成するために用いることができる絶縁膜形成用SOG及びその製造方法、及び絶縁膜及びその形成方法を提供する。【構成】 ?@塗布して処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用SOG4であって、該SOG中には、SOGとは物性の異なる物質31が被膜32により封入されたカプセル30を混入させた絶縁膜形成用SOG及びその製造方法。?A上記?@を用いて形成する絶縁膜及びその形成方法。
請求項（抜粋）：
塗布して処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用SOGであって、該SOG中には、SOGとは物性の異なる物質が被膜により封入されたカプセルを混入させることを特徴とする絶縁膜形成用SOG。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/90 Q ,  H01L 21/88 K
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM