特許
J-GLOBAL ID：200903029631457383

ドライエッチング方法

発明者：
長山 哲治

長山 哲治 について

, 
秋庭 波里

秋庭 波里 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161689
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングによりSiON系材料膜の異方性加工または選択除去を良好に行う。【構成】 エッチング前にSiON反射防止膜6にイオン注入を施し、改質層8に変化させる。このとき不活性ガスのドーパントを用いれば、アモルファス化によるエッチング速度の上昇が期待でき、水素系や炭素系やイオウ系等のドーパントを用いれば、改質層8のエッチング中に放出されるO* を消費できる。あるいは、シリコン系または酸素系のドーパントを用いれば、SiONの組成をSiまたはSiO2 に近づけることができ、安定したエッチングが行える。【効果】 SiON反射防止膜6のエッジのテーパ化が防止できる。この結果、O* によるレジスト・マスクの後退やカーボン系側壁保護膜の除去が起こらず、下地側の材料膜の異方性加工も容易となる。
請求項（抜粋）：
SiON系材料膜に所定のイオン注入を施した後、これをエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/30 574
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013565   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-144916
  • 特開平2-177536
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審査官引用 (6件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013565   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-144916
  • 特開平2-177536
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