特許
J-GLOBAL ID：200903029644471873

リセット可能な磁化を有する磁性層を含み、スピントランスファーを用いる多層積層構造

発明者：
グエン、ポール ピー.

グエン、ポール ピー. について

, 
ホワイ、イーミン

ホワイ、イーミン について


出願人/特許権者：
グランディス インコーポレイテッド

グランディス インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500821
公開番号（公開出願番号）：特表2006-518099
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
高密度メモリアレイの磁性素子(300)は、リセッタブル層(304)及び記憶層(302)を含む。リセッタブル層は、外部に生じる少なくとも一つの磁界によって選択方向に設定される磁化を有する。記憶層は、少なくとも一つの磁化容易軸を有し、かつ書き込み電流が磁性素子を流れると、スピントランスファー効果に基づいて方向を変える磁化を有する。磁性素子の別の実施形態は更に別の多層構造(409)を含み、トンネルバリア層(410)、ピン磁性層(411)、及び反強磁性層(412)により形成され、この反強磁性層は、ピン層の磁化を所定の方向に固定する。磁性素子の更に別の実施形態は、更に別の多層構造(509)を含み、この多層構造はトンネルバリア層(514)及び第2リセッタブル層(513)により形成され、この第2リセッタブル層は、基本形態のリセッタブル層の磁気モーメントとは異なる磁気モーメントを有する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの磁界によって選択した方向に設定される第1磁化を有するリセッタブル層であって、各磁界はリセッタブル層の外部で生成されるリセッタブル層と、 少なくとも一つの磁化容易軸を有し、かつ書き込み電流が当該磁性素子を流れると、スピントランスファー効果に基づいて方向を変える第2磁化を有する記憶層と、 リセッタブル層と記憶層との間に形成されるスペーシング層と、を備える磁性素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第5,695,864号
  • 米国特許第6,256,223号
  • 米国特許出願番号10/213,537号
審査官引用 (3件)

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