特許

J-GLOBAL ID：200903029653353948

固体撮像素子

発明者： 原田 耕一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291744
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026717
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】 オーバーフローバリアが深く形成され、近赤外線領域にも感度のある特性の良好な固体撮像素子を提供する。【解決手段】 縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子1において、第1導電型半導体基板2と、第1導電型半導体基板2上に形成された第1導電型半導体基板2よりも低濃度の第1導電型半導体層3と、第1導電型半導体層3上に形成された第2導電型半導体領域4と、第2導電型半導体領域4上に形成した、第2導電型半導体領域4より低濃度で赤外線が十分吸収されうるべく2μm以上の厚さを有する第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域5を有し、この第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域5の表面に受光部11が形成された構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子において、 第1導電型半導体基板と、 該第1導電型半導体基板上に形成された該第1導電型半導体基板よりも低濃度の第1導電型半導体層と、 該第1導電型半導体層上に形成された第2導電型半導体領域と、 該第2導電型半導体領域上に形成され、第2導電型半導体領域より低濃度で赤外線が十分吸収されうるべく2μm以上の厚さを有する第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域を有し、 該第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域の表面に受光部が形成されてなる ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L27/148

FI (1件)：

H01L27/14 B

Fターム (12件)：

4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118GB04 ,  4M118GB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120667   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-182768
  
• 縦形オーバーフローイメージセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086506   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-182768