高融点単結晶材料の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-313613
公開番号（公開出願番号）：特開2007-119297
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【解決課題】融点1700°C以上の高融点の単結晶材料を効率的に製造可能であり、欠陥の少ない高品質のものを製造可能な方法を提供すること。【解決手段】本発明は、金属又は金属化合物からなり、融点が1700°C以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法である。ここで、使用するるつぼとしては、電気鋳造法により製造されたイリジウムよりなる厚さ0.3mm以下の薄型るつぼガ好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属又は金属化合物からなり、融点が1700°C以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法。

IPC (4件)：

C30B 11/00 , C30B 29/20 , C25D 1/00 , C25D 1/02

FI (4件)：

C30B11/00 C , C30B29/20 , C25D1/00 381 , C25D1/02

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077BB01 , 4G077BB04 , 4G077CD02 , 4G077EC05 , 4G077ED02 , 4G077EG02 , 4G077HA01 , 4G077HA12 , 4G077MA02 , 4G077MB04

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3559311号公報

審査官引用 (6件)

特公昭55-029011
希土類バナデート単結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-161828 出願人：信越化学工業株式会社
単結晶製造用るつぼおよび単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-354688 出願人：信越化学工業株式会社

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