特許

J-GLOBAL ID：200903029697803126

シリコン半導体基板およびその製造方法

発明者： 中居 克彦 ,  井上 宜治 ,  横田 秀樹 ,  碇 敦 ,  大橋 渡
出願人/特許権者： ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087665
公開番号（公開出願番号）：特開2001-270796
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、これまでより低温短時間のアニールで表層無欠陥を達成できるシリコン単結晶基板およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板窒素濃度が1×1014atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下のシリコン単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導体基板、およびその製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板窒素濃度が1×1014atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下のシリコン単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (5件)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 E ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/324 X

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH09 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077HA12 ,  5F053AA12 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053PP03 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084915   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社