特許
J-GLOBAL ID:200903029701973775

イオンビーム加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村瀬 一美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-124486
公開番号(公開出願番号):特開2005-310977
出願日: 2004年04月20日
公開日(公表日): 2005年11月04日
要約:
【課題】加工面の表面粗さを悪化させずに加工時間を短縮する。【解決手段】ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法であって、ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行う。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法において、前記ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行うことを特徴とするイオンビーム加工方法。
IPC (2件):
H01L21/302 ,  C23F4/00
FI (2件):
H01L21/302 201B ,  C23F4/00 A
Fターム (23件):
4E066AA03 ,  4E066BA13 ,  4E066BE08 ,  4E066CA14 ,  4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD04 ,  4K057DG15 ,  4K057DM21 ,  4K057DN01 ,  5C034BB09 ,  5F004AA06 ,  5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004BA11 ,  5F004BB12 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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