特許
J-GLOBAL ID：200903029718085334
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130771
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330615
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 再現性良く、かつ高精度に回折格子を形成することができ、その上に高品質の半導体層を堆積することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 回折格子を被覆するように、InPからなる第1の層を、P原料としてPH3 または有機リン、キャリアガスとしてH2 を用いたMOCVDにより堆積する。基板温度を第1の層の堆積時の基板温度よりも高くし、第1の層の上に、InPからなる第2の層を堆積する。第2の層の上に、活性層を堆積する。第1の層に代わって、キャリアガス総流量に対するP原料の流量比と基板温度とを第1の層の堆積時の条件と同一とし、成長速度を異ならせた条件でInP層を堆積した場合に、活性層に相当する層のPL強度が、該InP層を成長速度0.2μm/hの条件で堆積した場合のそれの1/10となるような該InP層の成長速度を見い出す。第1の成長速度は、PL強度が1/10となる成長速度よりも遅い。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に、InPと異なる屈折率を有するIII-V族化合物半導体層を堆積する工程と、前記化合物半導体層に、その全厚さ部分を貫き、回折格子を構成する複数の溝を形成する工程と、前記溝内を埋め込みかつ前記回折格子を被覆するように、InPからなる第1の層を、Inの原料として有機金属、Pの原料としてPH3 または有機リン、キャリアガスとしてH2 を用いた有機金属化学気相成長により形成する工程と、基板温度を前記第1の層の形成時の基板温度よりも高くし、前記第1の層の上に、InPからなる第2の層を形成する工程と、前記第2の層の上に、活性層を形成する工程とを含み、前記第1の層に代わって、キャリアガスの総流量に対するPの原料の流量比と基板温度とを前記第1の層の堆積時の条件と同一とし、成長速度を異ならせた条件でInP層を堆積した場合に、前記活性層に相当する層のフォトルミネッセンス強度が、該InP層を成長速度0.2μm/hの条件で堆積した場合のそれの1/10となるような該InP層の成長速度よりも遅い成長速度で前記第1の層の堆積を行う半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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