特許
J-GLOBAL ID：200903029731612831

半導体受光素子及びその製造方法

発明者：
深野 秀樹

深野 秀樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192793
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195807
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 屈折型光受光素子において、微小サイズの光ビームに対しても極めて平坦な傾斜人射端面を有する屈折型光受光素子及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 第1の導電形を有する第1の半導体層14と第2の導電形を有する第2の半導体層12及び前記第1の半導体層14と第2の半導体層12に挟まれた光受光層13とからなる受光部分を基板15上に設けてなる半導体受光素子において、前記光受光層13を除く基板側成長層又は前記基板の端面には、受光層よりなる受光部分に対して有限の長さ離れた所から、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11を設けることにより、該光入射端面11で入射光を屈折させて、前記光受光層13を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の導電形を有する第1の半導体層と第2の導電形を有する第2の半導体層及び前記第1の半導体層と第2の半導体層に挟まれた光受光層とからなる受光部分を基板上に設けてなる半導体受光素子において、前記光受光層を除く基板側成長層又は前記基板の端面には、光受光層よりなる受光部分に対して有限の長さ離れた所から、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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