特許
J-GLOBAL ID：200903029749554251

極薄導体箔を用いたパターン形成方法

発明者：
高崎 義徳

高崎 義徳 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 岡戸 昭佳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194350
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016356
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 極薄銅箔を用いることにより,外層のパターン精度がよく,歩留まりもよいパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 内層パターン50を有する基板表面上に,層間絶縁層11と,カバーフィルム付き極薄銅箔12とを,カバーフィルム14が最も外側になるように積層する。そして,カバーフィルム14がついたままレーザ穴開けおよびクリーニングを行い,内層パターン50が露出するビアホールを形成する。その後,無電解めっき,めっきレジストの形成,電気めっき,めっきレジスト除去,エッチング,の手順で外層パターンを形成する。銅箔13が極薄であることおよびその厚さの均一性により,エッチングの程度が少なくて済む。
請求項（抜粋）：
内層パターンを有する基板表面上に,層間絶縁層と,保護層付き極薄導体箔とを,前記保護層が最も外側になるように積層し,前記保護層が付いたままレーザ穴開けして穴の底に前記内層パターンを露出させ,前記保護層を除去して前記極薄導体箔を露出させ,前記極薄導体箔上に外層パターンをアディティブに形成し,前記外層パターンの線間部分の前記極薄導体箔をエッチングして除去することを特徴とする極薄導体箔を用いたパターン形成方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/28
FI (4件)：
H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/28 F
Fターム (13件)：
5E314AA34 ,  5E314BB02 ,  5E314BB11 ,  5E314FF01 ,  5E314FF19 ,  5E314GG19 ,  5E314GG26 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346FF03 ,  5E346GG15 ,  5E346HH26 ,  5E346HH33
引用特許：
審査官引用 (3件)

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