特許
J-GLOBAL ID：200903029773354069

永久磁石薄膜およびその製造方法

発明者：
上原 稔

上原 稔 について


出願人/特許権者：
住友特殊金属株式会社

住友特殊金属株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237119
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 金属組織を制御することで実現する、高い保磁力と高い残留磁束密度を併せ持った高性能永久磁石薄膜材料とその製造方法を提供し、さらに当該永久磁石薄膜を用いることで実現する応用製品を供する。【解決手段】 高融点金属層2、4、6、8、および10と希土類合金磁性層3、5、7、9、11、および12とを交互に積層し、4層以上の積層構造を基板上に形成する。高融点金属層2、4、6、8、および10は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成され、5nm以上50nm以下の厚さを有する。希土類合金磁性層3、5、7、9、11、および12は、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、50nm以上500nm以下の厚さを有している。
請求項（抜粋）：
高融点金属層と希土類合金磁性層とが交互に積層された4層以上の積層構造を備えた永久磁石薄膜であって、前記高融点金属層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されており、5nm以上50nm以下の厚さを有し、前記希土類合金磁性層は、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、50nm以上500nm以下の厚さを有していることを特徴とする永久磁石薄膜。
IPC (6件)：
H01F 10/12 ,  C22C 38/00 303 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/14 ,  H01F 41/14 ,  H02K 15/03
FI (6件)：
H01F 10/12 ,  C22C 38/00 303 D ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/14 F ,  H01F 41/14 ,  H02K 15/03 A
Fターム (26件)：
4K029AA04 ,  4K029BA02 ,  4K029BA07 ,  4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA53 ,  4K029BB02 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K029FA07 ,  4K029GA01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA01 ,  5E049BA06 ,  5E049CC01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5H622AA03 ,  5H622DD02 ,  5H622QA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM