特許

J-GLOBAL ID：200903029785477832

半導体発光素子

発明者： 尺田 幸男 ,  松本 幸生 ,  中田 俊次
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 根本 恵司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277800
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子の窓層に含まれるAl原子の酸化を防止して、半導体発光素子の均一な発光を維持するとともに長寿命化を図る。【解決手段】 前記窓層の外面に、該半導体の発光する光に対して透明で、Al原子を含まない物質(例えば、GaP又はInGaP)で形成された薄い(30〜250Å、好ましくは100〜200Å程度)保護層8を設ける。

請求項（抜粋）：

窓層にAl原子を含む半導体発光素子において、該窓層の外面に該半導体の発光する光に対して実質的に透明なAl原子を含まない物質で形成された薄い保護層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (7件)：

5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-308230   出願人：昭和電工株式会社
• AlGaInP発光素子用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-077980   出願人：昭和電工株式会社