特許
J-GLOBAL ID：200903065449243137
AlGaInP発光素子用基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077980
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223929
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 AlGaInPLEDにおいて、劣化寿命が長くかつ高輝度なLEDを提供する。【解決手段】 p型GaAs基板を使用し、AlGaInPダブルヘテロ構造の上に電子移動速度の速いn型AlGaAs電流拡散層を、厚さ0.5μm以下に薄く配置し、さらにAl含有量の低いAlGaInPやGaP層を保護層として載置する。ダブルヘテロ構造部は高温の成長温度で格子整合したものとする。
請求項（抜粋）：
p型GaAs基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、AlGaInP活性層を挟むダブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がn型であって、キャリア濃度が1017cm-3以上2×1019cm-3以下で、かつその厚さが1μm以下である発光に対し透明なAlGaAs電流拡散層を具備した事を特徴とするAlGaInP発光素子用基板。
引用特許：
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