特許
J-GLOBAL ID：200903029795429011
薄膜積層電極とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293705
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 導体損失が低減できかつ製造の際の歩留りを従来例に比較して向上させることができる薄膜積層電極と、その製造方法を提供する。【構成】 所定の形状を有する薄膜導体を基板上に形成し、薄膜導体より大きい寸法を有する開口部を有する遮蔽手段を、薄膜導体が開口部の内部に位置するように設け、遮蔽手段を用いて遮蔽手段の開口部を介して薄膜誘電体を薄膜導体及び基板上に形成し、所定の形状を有する別の薄膜導体を薄膜誘電体上に形成することを繰り返すことにより、薄膜導体と薄膜誘電体とを、薄膜誘電体が薄膜導体を覆うよう交互に積層する。
請求項（抜粋）：
薄膜導体と薄膜誘電体とが交互に積層されてなり、上記薄膜誘電体は上記薄膜導体を覆うように形成されたことを特徴とする薄膜積層電極。
IPC (5件)：
H01P 3/18
, H01G 4/33
, H01P 7/10
, H01B 3/00
, H01B 5/16
H01P 3/18
, H01P 7/10
, H01B 3/00 F
, H01B 5/16
, H01G 4/06 102
