特許
J-GLOBAL ID：200903029804618884

発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器

発明者：
横関 弥樹博

横関 弥樹博 について

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塩見 治典

塩見 治典 について

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網 隆明

網 隆明 について

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有持 祐之

有持 祐之 について

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簗嶋 克典

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出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-164757
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339534
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】 活性層体積を十分に確保しつつ、光の取り出し効率の大幅な向上を図ることができることにより、発光効率が極めて高い発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 一主面に凹凸加工を施したサファイア基板11上にn型GaN層12、n型GaInNバッファ層14、n型GaN層15、InGaN井戸層とGaN障壁層とからなるMQW構造の活性層16、p型AlGaN層17およびp型GaN層18を順次エピタキシャル成長させて発光ダイオード構造を形成する。この成長時に、サファイア基板11の凸部11bの上の部分に形成される会合部に形成された貫通転位13の一部を起点として六角錐状のピット19が形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
一主面に凹凸構造を有する基板と、 上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と、 上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層上の活性層と、 上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III-V族化合物半導体層と、 上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、 上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている ことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA10 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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