特許
J-GLOBAL ID：200903098030976857

III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子

発明者：
倉本 大

倉本 大 について

, 
砂川 晴夫

砂川 晴夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063688
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270516
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】チルト角およびツイスト角が著しく低減されたIII族窒化物半導体膜を提供する。【解決手段】GaN膜12形成後、SiO2膜を形成する。これをストライプ状にパターニングし、開口部14を形成する。開口部14のストライプ方向は、GaN膜12の[11-20]方向に形成する。マスク13の厚みh、開口幅wは、h≧(w/2)tanθを満たすように設定する。その後、開口部を成長領域としてファセット構造を形成させながらIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
基材表面に、開口部を有するマスクを形成した後、前記開口部を成長領域としてファセット構造を形成させながら前記基材上にIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる方法であって、前記マスクの厚みおよび開口幅が下記式(1)h≧(w/2)tanθ (1)(但し、θはファセット構造の側面と基材表面のなす角、hはマスクの厚み、wは、基材表面およびファセット構造の側面と垂直な平面内におけるマスク開口幅とする。)を満たすことを特徴とするIII族窒化物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
Fターム (34件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)

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