特許
J-GLOBAL ID：200903054481078774
半導体レーザー素子及び半導体レーザー素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395479
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198062
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 素子の製造における再現性に優れる構造の半導体レーザー素子および半導体レーザー素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体レーザー素子の構造を、基板主面に対して傾斜した結晶面に沿って延長される活性層を第1導電型半導体層と第2導電型半導体層で挟む構造とさせ、前記結晶面に略垂直な端面を共振面とさせると共に発光する領域が前記活性層の傾斜した面内における一部領域とさせる。発光波長のばらつきを抑えることができる。
請求項（抜粋）：
基板主面に対して傾斜した結晶面に沿って延長される活性層を第1導電型半導体層と第2導電型半導体層で挟む構造を有し、前記結晶面に略垂直な端面が共振面とされ、発光する領域が前記活性層の傾斜した面内における一部領域であることを特徴とする半導体レーザー素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (34件)：
5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD10
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF06
, 5F045AF09
, 5F045BB02
, 5F045BB03
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA61
, 5F045DB02
, 5F073AA04
, 5F073AA11
, 5F073AA55
, 5F073AA61
, 5F073AB05
, 5F073AB06
, 5F073BA09
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB06
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073EA29
