特許
J-GLOBAL ID:200903029810374180
熱電対
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
的場 基憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-082861
公開番号(公開出願番号):特開2003-282961
出願日: 2002年03月25日
公開日(公表日): 2003年10月03日
要約:
【要約】【課題】 通常の半導体材料を用いた従来の熱電対では、1mV/K以上のゼーベック係数を得ることは困難であった。【解決手段】 一対の部100,101材の少なくとも一方が、高濃度の不純物を添加したゲルマニウム・シリコン(GeSi)材料から成る熱電対8としたことにより、室温下での比抵抗が従来の熱電対に近い値でありながら、非常に高いゼーベック係数を得ることができ、感度または出力信号に関する性能向上を実現することができるほか、例えばサーモパイル型赤外線検出素子への適用に好ましい熱電対を提供することができた。
請求項(抜粋):
熱電対を形成する一対の部材の少なくとも一方が、高濃度の不純物を添加したゲルマニウム・シリコン(GeSi)材料から成ることを特徴とする熱電対。
IPC (6件):
H01L 35/14
, G01J 1/02
, G01K 7/02
, H01L 35/32
, H01L 35/34
, G01J 5/02
FI (6件):
H01L 35/14
, G01J 1/02 C
, G01K 7/02 A
, H01L 35/32 A
, H01L 35/34
, G01J 5/02 B
Fターム (12件):
2F056KA03
, 2F056KA05
, 2F056KA12
, 2F056KA14
, 2F056KA18
, 2G065AB02
, 2G065BA11
, 2G065CA13
, 2G065DA20
, 2G066BA08
, 2G066BA55
, 2G066BB09
引用特許: