特許

J-GLOBAL ID：200903029857494400

半導体装置の製造方法

発明者： 境 忠彦 ,  大園 満
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038118
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243344
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 薄化のための研磨工程後の半導体ウェハの厚みを均一に保つことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 バンプ形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合して成る半導体装置の製造方法において、バンプ2が形成された半導体ウェハ1のバンプ形成面を反対面にダイシングシート3が貼着された状態でダイシングして切断溝1bを形成した後にバンプ形成面を表面に粘着樹脂層4aを有する保護シート4に押圧して貼着する。次いでバンプ形成面の裏側を研磨することにより半導体ウェハを薄化し、半導体素子1aの裏面に低弾性係数の接着材10を介して補強部材を接合する。これにより保護シート4と半導体ウェハ1との間に巻き込まれた空気を切断溝1bを介して排出して貼着界面におけるボイド形成を防止し、研磨工程後の半導体ウェハ1の厚みを均一に保つことができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の外部接続用の電極上にバンプが形成されたバンプ形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合して成る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子の前記電極上にバンプが形成された半導体ウェハのバンプ形成面を反対面にシートが貼着された状態でダイシングして切断溝を形成するダイシング工程と、ダイシング工程後の前記半導体ウェハのバンプ形成面を表面に粘着樹脂層を有するシートに押圧して貼着するシート貼着工程と、シート貼着工程後の半導体ウェハのバンプ形成面の裏側を研磨することにより半導体ウェハを薄化する研磨工程と、前記半導体素子の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合する補強部材接合工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501

FI (5件)：

H01L 21/304 622 J ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/78 Q

Fターム (4件)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304928   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292047   出願人：日本電信電話株式会社