特許
J-GLOBAL ID：200903029860227839
多結晶フィルムトランジスタ液晶表示パネルの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-061866
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124683
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】製造に必要な光マスクを減少して、製造コスト・時間を抑制する。【解決手段】絶縁基板上に導体層を形成し、光マスクフォトエッチングによりゲート導体構造を限定し、このゲート絶縁層上にアモルファス半導体チャネル層と触媒層とハイドーピングアモルファス半導体ソース/ドレイン層とを積層した後、光マスクフォトエッチングを行い該ハイドーピングアモルファス半導体ソース/ドレイン層及び該触媒層をエッチングしてソース/ドレイン構造を限定する。基板全体に対して熱処理を行い、前記触媒作用により多結晶半導体チャネル層を結晶化し、基板全体をデータ導線層で覆った後、光マスクフォトエッチグを行いデータ導線構造を限定し、保護層を形成した後、光マスクフォトエッチングを行い接触通孔構造を限定し透明電極層を形成した後光フォトエッチングを行い、画素電極領域を限定する液晶表示パネルの製造方法。
請求項（抜粋）：
多結晶フィルムトランジスタ液晶表示パネルを製造する方法であって、絶縁基板を提供するステップと、前記絶縁基板上に導体層を形成するステップと、第1条の光マスクフォトリソグラフィのエッチングプロセスにより前記導体層に対して1ゲート導体構造を限定するステップと、前記ゲート導体構造を有する前記絶縁基板上において、順にゲート絶縁層と、アモルファス半導体チャネル層と、触媒層と、ハイドーピングアモルファス半導体ソース/ドレーン層とを形成した後、第2条の光マスクフォトリソグラフィのエッチングプロセスを行い、該触媒層と該アモルファス半導体チャネル層との間に存在している良好な選択エッチング比により、連続的に該ハイドーピングアモルファス半導体ソース/ドレーン層及び該触媒をエッチングしてソース/ドレーン開始構造を限定するステップと、前記基板全体に対して熱処理を行い、前記触媒層の触媒作用により前記ソース/ドレーン開始構造及び前記アモルファス半導体チャネル層の材質に、結晶動作を発生させ、多結晶ソース/ドレーン構造及び多結晶半導体チャネル層に転換するステップと、データ導線層で覆った後、第3条の光マスクフォトリソグラフィのエッチングプロセスを行いデータ導線構造を限定するステップと、保護層を形成した後、第4条の光マスクフォトリソグラフィのエッチングプロセスを行い、該保護層上に接触通孔構造を限定するステップと、透明電極層を形成した後第5条の光マスクフォトリソグラフィのエッチングプロセスを行い、透明な画素電極領域を限定して前記多結晶フィルムトランジスタ表示パネルを完成するステップと、を備えてなる多結晶フィルムトランジスタ表示パネルの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 616 J
