パルス状の急速な熱アニーリングによる多結晶シリコンの成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187103
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070077
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】シリコンを急速に結晶化する方法、およびアモルファス・シリコンを多結晶シリコンに急速に変質させる方法を提供する。【解決手段】ガラス層55上に、最下部の絶縁層60と最上部の絶縁層70との間にはさまれたアモルファス・シリコン層65をもつ3層構造50を形成するステップ、最上部の絶縁層を選択的にエッチングして、アモルファス・シリコン層を部分的に露出させるステップ、このアモルファス・シリコン層の露出した部分80上に金属核層90を形成するステップ、および休止期間15によって分離された連続パルス10を使用する、パルス状の急速な熱アニーリング(PRTA)により、アモルファス・シリコン層を多結晶シリコン層に変質させるステップを含む。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体素子を形成する方法であって、(a) ガラス層上に、最下部の絶縁層と最上部の絶縁層との間に挟まれたアモルファス・シリコン層を有する3層構造を形成するステップと、(b) 前記アモルファス・シリコン層を部分的に露出させるために、前記最上部の絶縁層を選択的にエッチングするステップと、(c) 前記アモルファス・シリコン層の前記露出させた部分上に、金属核層を形成するステップと、(d) 前記アモルファス・シリコン層を多結晶シリコン層に変質させるために、休止期間によって分離された連続パルスから成るパルス状の急速な熱アニーリングを行うステップと、を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067982 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-133633 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-275641

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