特許
J-GLOBAL ID：200903077747656779

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284200
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 量産性の高い作製方法で結晶性の高い半導体薄膜を利用した半導体装置を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコン膜からなる活性層106、107に対してマスク絶縁膜108に設けられた開孔部109を介してゲルマニウム膜110を接触させ、第1の加熱処理を行う。こうしてポリシリコン膜からなる活性層111、112が得られたら、第1の加熱処理よりも高い温度で第2の加熱処理を行うことで、結晶粒内の欠陥を大幅に低減することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のTFTでなる回路を含む半導体装置であって、前記複数のTFTのソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域は結晶半導体膜からなり、前記ソース領域又はドレイン領域には前記チャネル形成領域よりも高い濃度でゲルマニウムが存在し、且つ、前記チャネル形成領域中のスピン密度が 5×1017spins/cm3 以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (7件)
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