薄膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-285051
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129626
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】膜質を均一化でき、デバイス特性の安定化を達成できる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】減圧CVD装置の反応炉内に基板を載置させた後、該反応室内に成膜用ガスを導入して所定の薄膜を形成するに際し、核形成工程とバルク成長工程とをこの順に行う。核をできるだけ緻密に堆積させるため、核形成工程における反応炉内の圧力と成膜用ガスの流量との積を、バルク成長工程における反応炉内の圧力と成膜用ガスの流量との積に対して1.1倍〜3倍とする。このとき、反応炉内の雰囲気を不安定化させないように、成膜用ガスの滞在時間が大きく変化しないように制限するとよい。また、核形成工程における成膜用ガス中の原料ガスの分圧を、バルク成長工程における原料ガスの分圧に対して1.1倍〜3倍としてもよい。

請求項（抜粋）：

減圧CVD装置の反応炉内に基板を載置させた後、該反応室内に成膜用ガスを導入して所定の薄膜を形成するに際し、核形成工程とバルク成長工程とをこの順に行うことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/52 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/44 D , C23C 16/52 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-022812
化合物半導体薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-170604 出願人：富士通株式会社
化合物半導体結晶薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-034512 出願人：住友電気工業株式会社

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