特許
J-GLOBAL ID：200903029891898901
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266049
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101192
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 良好な高温動作特性を有するとともに、長期間に亘って安定したレーザ特性を有する半導体レーザを実現すること。【解決手段】 複数回の結晶成長工程を経てAlGaInP系可視光半導体レーザの作製する際に、p型半導体層の内、最終の結晶成長工程において最後に形成されるp型半導体層の表面をn型半導体層で被覆し、室温まで降温させた上で、当該n型半導体層を除去することで、結晶成長後の降温過程におけるp型半導体層に対する水素による不活性化を防止する。これにより、高いpキャリア濃度が得られ、良好な高温動作特性の実現と、長期間に亘って安定した特性を有する半導体レーザを実現することが可能となる。
請求項（抜粋）：
ダブルヘテロ構造の結晶成長を行なうための1回目の結晶成長工程と、その後に埋め込み結晶成長を行なうための続結晶成長工程とからなる複数回の結晶成長工程により作製される半導体レーザの製造方法において、前記複数回の結晶成長工程の内の最終の結晶成長工程を行なう際に、n型半導体層を被覆層として用い、最後に形成されるp型半導体層の表面を、当該n型半導体層で被覆する第1のステップと、全結晶成長工程完了後に室温まで降温し、前記n型半導体層をエッチング除去する第2のステップと、電極形成を行う第3のステップとを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, G11B 7/125 A
5D119AA33
, 5D119BA01
, 5D119FA05
, 5D119FA18
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073EA29
