特許
J-GLOBAL ID：200903029894079367

半導体、半導体の製造方法および太陽電池

発明者：
藤森 裕司

藤森 裕司 について

, 
宮本 勉

宮本 勉 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270439
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083987
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】光電変換効率に優れる半導体、半導体の製造方法および太陽電池を提供すること。【解決手段】太陽電池1は、いわゆる乾式太陽電池と呼ばれるものであり、基板2と、基板2の上面に設置された第1の電極3と、第1の電極3の上面に設置された膜状の半導体4と、半導体4の上面に設置された第2の電極5とで構成され、第2の電極5と半導体4との界面にはショットキー障壁が形成されている。この半導体4は、酸化チタン粉末を主とする半導体材料を成形することにより得られる。半導体4のバンドギャップは、酸化チタン粉末の少なくとも一部あるいは半導体材料の成形体に対して、バンドギャップ低減処理を施すことにより、3.1eV以下とされている。
請求項（抜粋）：
主として酸化チタンで構成される半導体であって、バンドギャップが3.1eV以下であることを特徴とする半導体。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 29/43
FI (2件)：
H01L 31/04 E ,  H01L 29/46 B
Fターム (20件)：
4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104GG05 ,  4M104GG20 ,  5F051AA20 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24
引用特許：
審査官引用 (6件)
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