特許
J-GLOBAL ID：200903029899267943
MOS型固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016242
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 MOS型固体撮像装置に関し、MOS素子が微細化されても、電荷転送能力向上とパンチスルー防止を同時に実現する。【解決手段】 p+ 型パンチスルー防止領域6は、フォトダイオードのn-型信号蓄積領域2直下には形成されていない。n- 型信号蓄積領域2は、p型半導体基板1内に形成される。p+ 型パンチスルー防止領域6は、フォトダイオード及び読み出しゲートが形成される素子領域A以外の素子領域Bには、その素子領域Bの全体に形成される。また、p+ 型パンチスルー防止領域6は、素子間のパンチスルー防止のため、絶縁分離層10の直下にも形成される。n型第1半導体領域4直下には、p+ 型パンチスルーストッパ5を形成してもよい。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板内に形成される光電変換素子と、前記半導体基板の第1素子領域内に形成され、前記光電変換素子により生成される電荷を読み出すための第2導電型の第1MOSトランジスタと、前記半導体基板の第2素子領域内に形成される第2導電型の第2MOSトランジスタとを具備し、前記第2素子領域の全体にパンチスルーを防止するための第1導電型のパンチスルー防止領域が設けられていることを特徴とするMOS型固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118EA07
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 5F049MA02
, 5F049MA15
, 5F049NA17
, 5F049NB05
, 5F049QA15
, 5F049UA11
, 5F049UA20
