半導体装置及びその製造方法、半導体装置におけるバンプ密着性評価方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290948
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148495
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】半導体基板同士をバンプでフリップチップ接続する構造の半導体装置に関し、半導体基板同士をフリップチップ接続するバンプの接合強度を高め、バンプの変形やずれによる短絡や接触不良を回避すること。【構成】第1のバンプ13を有する第1の半導体基板12と、頂部が球面状であって且つ前記第1のバンプ13よりも塑性変形しにくく形成された第2のバンプ8を有する第2の半導体基板2とを含む。

請求項（抜粋）：

第1のバンプを有する第1の半導体基板と、頂部が球面状であって且つ前記第1のバンプよりも塑性変形しにくく形成された第2のバンプを有する第2の半導体基板とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311 , H01L 21/66 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/92 602 R , H01L 21/92 604 T , H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平2-015635
特開平4-225542
特開昭64-081264

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