特許

J-GLOBAL ID：200903029907117310

波長変換型半導体素子

発明者： 土谷 正彦 ,  佐藤 弘之 ,  平澤 洋 ,  冨吉 俊夫 ,  森川 謙一
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 山崎 輝緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040745
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246647
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、反射面として機能する電極の反射率を高めると共に、接触抵抗を低減するようにした、波長変換型半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 pn接合を構成する下方のp型層13及び上方のn型層12と、これらの上方に配設された波長変換材17と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極14と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極16と、を含む波長変換型半導体素子10であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層16aと、コンタクト金属薄膜層16b、とから構成されるように、波長変換型半導体素子を構成する。

請求項（抜粋）：

pn接合を構成する下方のp型層及び上方のn型層と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極と、を含む半導体素子であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層と、コンタクト金属薄膜層と、から構成されていることを特徴とする、半導体素子。

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 D

Fターム (18件)：

5F041AA14 ,  5F041AA21 ,  5F041CA02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-152301   出願人：三洋電機株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191476   出願人：スタンレー電気株式会社