特許

J-GLOBAL ID：200903029933841808

半導体装置

発明者： 神谷 俊幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007712
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209173
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高いヒューズを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板10の上方に形成された第1層間絶縁層36と、前記第1層間絶縁層36の上方に形成された、レーザ光により溶断可能なヒューズ20を含む配線層70と、前記ヒューズ20を構成する配線層70の上方に形成された第1保護層40と、前記第1保護層40の上方に形成された第2層間絶縁層38と、を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に形成された第1層間絶縁層と、前記第1層間絶縁層の上方に形成された、レーザ光により溶断可能なヒューズを含む配線層と、前記ヒューズを構成する配線層の上方に形成された第1保護層と、前記第1保護層の上方に形成された第2層間絶縁層と、を備える半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 S

Fターム (43件)：

5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033VV11 ,  5F033XX00 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX18 ,  5F064BB13 ,  5F064BB14 ,  5F064BB35 ,  5F064CC01 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064DD48 ,  5F064EE23 ,  5F064EE33 ,  5F064EE34 ,  5F064EE36 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF42

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-038511   出願人：松下電子工業株式会社
• ヒューズの切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-257602   出願人：株式会社東芝