特許
J-GLOBAL ID：200903031125850748

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
津浦 克彦

津浦 克彦 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038511
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077202
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 微細・高集積化に対応して多層配線化された半導体集積回路装置において、ヒューズ部の切断による信頼性の低下や製造歩留りの低下を招くことなく、ヒューズ部の上部の開口部の形成時間を短縮して製造時間を短縮する。【解決手段】 層間絶縁膜12上に、ヒューズ部13及びパッド電極17を最上層の金属配線層で形成し、その上に無機絶縁保護膜14を形成後、パッド電極17の上部の開口部18を形成する。全面に感光性の有機絶縁保護膜15を塗布し、パターンニングして、ヒューズ部13の上部に開口部16及びパッド電極17の上部に開口部19を形成する。必要に応じて無機絶縁保護膜14をエッチングして、ヒューズ部13の上部の無機絶縁保護膜14の膜厚を薄くする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜の上に最上層の配線層を形成し、前記最上層の配線層及び前記層間絶縁膜上に無機絶縁保護膜を形成し、前記無機絶縁保護膜上に有機絶縁保護膜を形成した半導体集積回路装置であって、前記最上層の配線層によりヒューズ部を形成し、前記ヒューズ部の上部に前記有機絶縁保護膜の開口部を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 T
Fターム (20件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033RR01 ,  5F033RR27 ,  5F033VV11 ,  5F033XX33 ,  5F064DD42 ,  5F064DD48 ,  5F064EE22 ,  5F064FF27 ,  5F064FF29 ,  5F064FF34 ,  5F064FF42 ,  5F064GG03 ,  5F064HH10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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