特許
J-GLOBAL ID：200903029988320599

シリコンウェーハ及びその製造方法。

発明者：
森田 悦郎

森田 悦郎 について

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塩多 孝明

塩多 孝明 について

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野々垣 嘉久

野々垣 嘉久 について

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中田 嘉信

中田 嘉信 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

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三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084640
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277527
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 OSFフリーかつCOPフリーであって、Fe等の汚染やスリップの発生がほとんどないシリコンウェーハを製造する。【解決手段】 引上げ速度をV(mm/分)とし、シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲でそれぞれ前記インゴットの中心における軸方向の温度勾配をGa(°C/mm)とし、インゴットの周縁における軸方向の温度勾配をGb(°C/mm)とするとき、V/Ga及びV/Gbがそれぞれ0.23〜0.30mm2/分・°Cになるようにインゴットを引上げる。インゴットをスライスして得られたウェーハを還元性雰囲気下で1050〜1220°Cの温度範囲で30〜150分間熱処理する。
請求項（抜粋）：
酸素雰囲気下、1000°C±30°Cの温度範囲で2〜5時間熱処理し、引続き1130°C±30°Cの温度範囲で1〜16時間熱処理した際に酸化誘起積層欠陥が発生せず、ウェーハ表面における0.12μm未満の結晶に起因したパーティクルの数が3〜10個/cm2の範囲にあって、かつウェーハ表面における0.12μm以上の結晶に起因したパーティクルの数が0.5個/cm2以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/324 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
H01L 21/324 X ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P
Fターム (17件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH09 ,  4G077FE03 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  5F053AA12 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053PP05 ,  5F053RR03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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